1N4006T-G - DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller Teilenummer

1N4006T-G

Interne Teilenummer

ABC-1N4006T-G

Hersteller

Comchip Technology

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

23599492 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für 1N4006T-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N4006T-G

Hersteller : Comchip Technology

Beschreibung : DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : DO-204AL, DO-41, Axial

Supplier Device Package : DO-41

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 1N4 , 1N40

Dokumente für 1N4006T-G

Datenblätter : 1N4006T-G.pdf

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