IPT60R125G7XTMA1 - MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

Hersteller Teilenummer

IPT60R125G7XTMA1

Interne Teilenummer

ABC-IPT60R125G7XTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

295036 Pieces

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Technische Daten für IPT60R125G7XTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPT60R125G7XTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8

Serie : CoolMOS™ G7

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 320µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 400V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 120W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-HSOF-8-2

Paket / fall : 8-PowerSFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IPT60R125G7XTMA1.pdf

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