1N6480HE3/96 - DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Hersteller Teilenummer

1N6480HE3/96

Interne Teilenummer

ABC-1N6480HE3/96

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4655448 Pieces

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Technische Daten für 1N6480HE3/96

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N6480HE3/96

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Serie : SUPERECTIFIER®

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-213AB, MELF (Glass)

Supplier Device Package : DO-213AB

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 1N6480HE3/96

Datenblätter : 1N6480HE3/96.pdf

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