RN1910FE,LF(CT - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller Teilenummer

RN1910FE,LF(CT

Interne Teilenummer

ABC-RN1910FE,LF(CT

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

13553820 Pieces

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Technische Daten für RN1910FE,LF(CT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RN1910FE,LF(CT

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : -

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang : 250MHz

Leistung max : 100mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Supplier Device Package : ES6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : RN19 , RN1910F

Dokumente für RN1910FE,LF(CT

Datenblätter : RN1910FE,LF(CT.pdf

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