IPD180N10N3GBTMA1 - MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Hersteller Teilenummer

IPD180N10N3GBTMA1

Interne Teilenummer

ABC-IPD180N10N3GBTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1416982 Pieces

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Technische Daten für IPD180N10N3GBTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPD180N10N3GBTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 43A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 33µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 71W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPD18 , IPD180N1

Dokumente für IPD180N10N3GBTMA1

Datenblätter : IPD180N10N3GBTMA1.pdf

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