TSM60N1R4CP ROG - MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252

Hersteller Teilenummer

TSM60N1R4CP ROG

Interne Teilenummer

ABC-TSM60N1R4CP ROG

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TSM60N1R4CP ROG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM60N1R4CP ROG

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 3.3A TO252

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.7nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 38W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TSM60 , TSM60N1

Dokumente für TSM60N1R4CP ROG

Datenblätter : TSM60N1R4CP ROG.pdf

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