GP2M002A065PG - MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Hersteller Teilenummer

GP2M002A065PG

Interne Teilenummer

ABC-GP2M002A065PG

Hersteller

Global Power Technologies Group

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für GP2M002A065PG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : GP2M002A065PG

Hersteller : Global Power Technologies Group

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 353pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I-PAK

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : GP2M , GP2M00

Dokumente für GP2M002A065PG

Datenblätter : GP2M002A065PG.pdf

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