FDD3570 - MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Hersteller Teilenummer

FDD3570

Interne Teilenummer

ABC-FDD3570

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FDD3570

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDD3570

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.4W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDD3570

Datenblätter : FDD3570.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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