RQ1A060ZPTR - MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Hersteller Teilenummer

RQ1A060ZPTR

Interne Teilenummer

ABC-RQ1A060ZPTR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2129631 Pieces

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Technische Daten für RQ1A060ZPTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ1A060ZPTR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TSMT8

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : RQ1A060ZPTR.pdf

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