1N6663US - DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A

Hersteller Teilenummer

1N6663US

Interne Teilenummer

ABC-1N6663US

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

53183 Pieces

Referenzpreis

~~USD 11.43~~

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Technische Daten für 1N6663US

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 1N6663US

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 500MA D5A

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 500mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 400mA

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : -

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F : -

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SQ-MELF, A

Supplier Device Package : D-5A

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 1N6663US

Datenblätter : 1N6663US.pdf

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