PHK28NQ03LT,518 - MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

PHK28NQ03LT,518

Interne Teilenummer

ABC-PHK28NQ03LT,518

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PHK28NQ03LT,518

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHK28NQ03LT,518

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : PHK28NQ03LT,518.pdf

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