LND150N3-G-P013 - MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Hersteller Teilenummer

LND150N3-G-P013

Interne Teilenummer

ABC-LND150N3-G-P013

Hersteller

Microchip Technology

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1672580 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für LND150N3-G-P013

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : LND150N3-G-P013

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1000 Ohm @ 500µA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10pF @ 25V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 740mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-92-3

Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für LND150N3-G-P013

Datenblätter : LND150N3-G-P013.pdf

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