BSC024NE2LSATMA1 - MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

Hersteller Teilenummer

BSC024NE2LSATMA1

Interne Teilenummer

ABC-BSC024NE2LSATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1627136 Pieces

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Technische Daten für BSC024NE2LSATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSC024NE2LSATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 12V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta), 48W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSC024NE2LSATMA1.pdf

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