BAS516,H3F - DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Hersteller Teilenummer

BAS516,H3F

Interne Teilenummer

ABC-BAS516,H3F

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

21393792 Pieces

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Technische Daten für BAS516,H3F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BAS516,H3F

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 3ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 200nA @ 80V

Kapazität @ Vr, F : 0.35pF @ 0V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SC-79, SOD-523

Supplier Device Package : ESC

Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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