TK3A60DA(Q,M) - MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Hersteller Teilenummer

TK3A60DA(Q,M)

Interne Teilenummer

ABC-TK3A60DA(Q,M)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für TK3A60DA(Q,M)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TK3A60DA(Q,M)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Serie : π-MOSVII

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 30W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220SIS

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TK3A60DA(Q,M).pdf

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