APTM120H29FG - MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Hersteller Teilenummer

APTM120H29FG

Interne Teilenummer

ABC-APTM120H29FG

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

59334 Pieces

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Technische Daten für APTM120H29FG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM120H29FG

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Serie : POWER MOS 7®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 34A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V

Leistung max : 780W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP6

Supplier Device Package : SP6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTM , APTM12

Dokumente für APTM120H29FG

Datenblätter : APTM120H29FG.pdf

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