PMV185XN,215 - MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Hersteller Teilenummer

PMV185XN,215

Interne Teilenummer

ABC-PMV185XN,215

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für PMV185XN,215

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMV185XN,215

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 1.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 76pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 325mW (Ta), 1.275W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-236AB (SOT23)

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PMV1 , PMV185

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Datenblätter : PMV185XN,215.pdf

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