EPC2105ENG - GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller Teilenummer

EPC2105ENG

Interne Teilenummer

ABC-EPC2105ENG

Hersteller

EPC

Kurze Beschreibung

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

52897 Pieces

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Technische Daten für EPC2105ENG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EPC2105ENG

Hersteller : EPC

Beschreibung : GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

Serie : eGaN®

Teilestatus : Discontinued at Digi-Key

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A, 38A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V

Leistung max : -

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : Die

Supplier Device Package : Die

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für EPC2105ENG

Datenblätter : EPC2105ENG.pdf

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