APTML20UM18R010T1AG - MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Hersteller Teilenummer

APTML20UM18R010T1AG

Interne Teilenummer

ABC-APTML20UM18R010T1AG

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 200V 109A SP1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

71424 Pieces

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Technische Daten für APTML20UM18R010T1AG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTML20UM18R010T1AG

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 109A SP1

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 109A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9880pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 480W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SP1

Paket / fall : SP1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTML2 , APTML20UM

Dokumente für APTML20UM18R010T1AG

Datenblätter : APTML20UM18R010T1AG.pdf

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