EMF8T2R - TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Hersteller Teilenummer

EMF8T2R

Interne Teilenummer

ABC-EMF8T2R

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4737649 Pieces

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Technische Daten für EMF8T2R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : EMF8T2R

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

Transistortyp : 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA, 500mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V, 12V

Widerstand - Basis (R1) : 47 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA

Frequenz - Übergang : 250MHz, 320MHz

Leistung max : 150mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Supplier Device Package : EMT6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für EMF8T2R

Datenblätter : EMF8T2R.pdf

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