IXFN80N60P3 - MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Hersteller Teilenummer

IXFN80N60P3

Interne Teilenummer

ABC-IXFN80N60P3

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

57330 Pieces

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Technische Daten für IXFN80N60P3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXFN80N60P3

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

Serie : HiPerFET™, Polar3™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 13100pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 960W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Supplier Device Package : SOT-227B

Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : IXFN80N60P3.pdf

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