FQB19N10LTM - MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

Hersteller Teilenummer

FQB19N10LTM

Interne Teilenummer

ABC-FQB19N10LTM

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

112416 Pieces

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Technische Daten für FQB19N10LTM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FQB19N10LTM

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK

Serie : QFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 19A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 870pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.75W (Ta), 75W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D²PAK (TO-263AB)

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : FQB , FQB19

Dokumente für FQB19N10LTM

Datenblätter : FQB19N10LTM.pdf

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