PHKD3NQ10T,518 - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

PHKD3NQ10T,518

Interne Teilenummer

ABC-PHKD3NQ10T,518

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

53911 Pieces

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Technische Daten für PHKD3NQ10T,518

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHKD3NQ10T,518

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 633pF @ 20V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PHKD , PHKD3NQ

Dokumente für PHKD3NQ10T,518

Datenblätter : PHKD3NQ10T,518.pdf

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