JAN1N5804URS - DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Hersteller Teilenummer

JAN1N5804URS

Interne Teilenummer

ABC-JAN1N5804URS

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

56043 Pieces

Referenzpreis

~~USD 10.8451~~

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Technische Daten für JAN1N5804URS

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : JAN1N5804URS

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Serie : Military, MIL-PRF-19500/477

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A

Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 25ns

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SQ-MELF, A

Supplier Device Package : A-MELF

Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für JAN1N5804URS

Datenblätter : JAN1N5804URS.pdf

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