IRFD123PBF - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Hersteller Teilenummer

IRFD123PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRFD123PBF

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1062733 Pieces

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Technische Daten für IRFD123PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFD123PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 780mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.3W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / fall : 4-DIP (0.300", 7.62mm)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFD123PBF

Datenblätter : IRFD123PBF.pdf

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