TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Hersteller Teilenummer

TSM061NA03CV RGG

Interne Teilenummer

ABC-TSM061NA03CV RGG

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1362879 Pieces

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Technische Daten für TSM061NA03CV RGG

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TSM061NA03CV RGG

Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 66A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1136pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 44.6W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PDFN (3x3)

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : TSM061NA03CV RGG.pdf

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