SPB80P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Hersteller Teilenummer

SPB80P06PGATMA1

Interne Teilenummer

ABC-SPB80P06PGATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

340095 Pieces

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Technische Daten für SPB80P06PGATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SPB80P06PGATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 80A TO-263

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 64A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 5.5mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 173nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5033pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 340W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TO263-3-2

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SPB80 , SPB80P0

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Datenblätter : SPB80P06PGATMA1.pdf

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