JAN1N5417US - DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-JAN1N5417US
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
63567 Pieces
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Technische Daten für JAN1N5417US
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : JAN1N5417US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für JAN1N5417US
Datenblätter : JAN1N5417US.pdf
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