SI7909DN-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
ABC-SI7909DN-T1-GE3
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
RoHS-Status
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Technische Daten für SI7909DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI7909DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.3W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI7909DN-T1-GE3
Datenblätter : SI7909DN-T1-GE3.pdf
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