PHN210,118 - MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Hersteller Teilenummer

PHN210,118

Interne Teilenummer

ABC-PHN210,118

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

56095 Pieces

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Technische Daten für PHN210,118

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHN210,118

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 20V

Leistung max : 2W

Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : PHN , PHN21

Dokumente für PHN210,118

Datenblätter : PHN210,118.pdf

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