FDN361BN - MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Hersteller Teilenummer

FDN361BN

Interne Teilenummer

ABC-FDN361BN

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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3512810 Pieces

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Technische Daten für FDN361BN

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDN361BN

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.8nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 193pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 500mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SuperSOT-3

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : FDN361BN.pdf

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