RJK1003DPN-E0#T2 - MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Hersteller Teilenummer

RJK1003DPN-E0#T2

Interne Teilenummer

ABC-RJK1003DPN-E0#T2

Hersteller

Renesas Electronics America

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 50A TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

464814 Pieces

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Technische Daten für RJK1003DPN-E0#T2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RJK1003DPN-E0#T2

Hersteller : Renesas Electronics America

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 50A TO220

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4150pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RJK1003DPN-E0#T2

Datenblätter : RJK1003DPN-E0#T2.pdf

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