TPD3215M - GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

Hersteller Teilenummer

TPD3215M

Interne Teilenummer

ABC-TPD3215M

Hersteller

Transphorm

Kurze Beschreibung

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

26622 Pieces

Referenzpreis

~~USD 89.415~~

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Technische Daten für TPD3215M

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPD3215M

Hersteller : Transphorm

Beschreibung : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 100V

Leistung max : 470W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Paket / fall : Module

Supplier Device Package : Module

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPD3215M

Datenblätter : TPD3215M.pdf

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