DMN6070SY-13 - MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Hersteller Teilenummer

DMN6070SY-13

Interne Teilenummer

ABC-DMN6070SY-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN6070SY-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN6070SY-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 12.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 588pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-89-3

Paket / fall : TO-243AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : DMN6070SY-13.pdf

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