SI4931DY-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

SI4931DY-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SI4931DY-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI4931DY-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI4931DY-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 350µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -

Leistung max : 1.1W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Supplier Device Package : 8-SO

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI493 , SI4931D

Dokumente für SI4931DY-T1-GE3

Datenblätter : SI4931DY-T1-GE3.pdf

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