TH58BYG2S3HBAI6 - IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller Teilenummer

TH58BYG2S3HBAI6

Interne Teilenummer

ABC-TH58BYG2S3HBAI6

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

135032 Pieces

Referenzpreis

~~USD 3.08~~

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Technische Daten für TH58BYG2S3HBAI6

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TH58BYG2S3HBAI6

Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.

Beschreibung : IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Serie : Benand™

Teilestatus : Active

Speichertyp : Non-Volatile

Speicherformat : FLASH

Technologie : FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns

Zugriffszeit : 25ns

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 67-VFBGA

Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TH58B , TH58BYG

Dokumente für TH58BYG2S3HBAI6

Datenblätter : TH58BYG2S3HBAI6.pdf

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