RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Hersteller Teilenummer

RQ3E180AJTB

Interne Teilenummer

ABC-RQ3E180AJTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1615215 Pieces

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Technische Daten für RQ3E180AJTB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RQ3E180AJTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18A (Ta), 30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 11mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4290pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2W (Ta), 30W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-HSMT (3.2x3)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : RQ3E180AJTB.pdf

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