DMG4N60SJ3 - MOSFET NCH 600V 3A TO251

Hersteller Teilenummer

DMG4N60SJ3

Interne Teilenummer

ABC-DMG4N60SJ3

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET NCH 600V 3A TO251

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

989485 Pieces

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Technische Daten für DMG4N60SJ3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMG4N60SJ3

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET NCH 600V 3A TO251

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14.3nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 532pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 41W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-251

Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DMG4N60SJ3

Datenblätter : DMG4N60SJ3.pdf

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