BSF083N03LQ G - MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Hersteller Teilenummer

BSF083N03LQ G

Interne Teilenummer

ABC-BSF083N03LQ G

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für BSF083N03LQ G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSF083N03LQ G

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Ta), 53A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.2W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Paket / fall : 3-WDSON

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSF0 , BSF083

Dokumente für BSF083N03LQ G

Datenblätter : BSF083N03LQ G.pdf

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