FDS86267P - MOSFET P-CH 150V

Hersteller Teilenummer

FDS86267P

Interne Teilenummer

ABC-FDS86267P

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 150V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1002813 Pieces

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Technische Daten für FDS86267P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDS86267P

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 150V

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 150V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 255 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1130pF @ 75V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOIC

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDS86267P

Datenblätter : FDS86267P.pdf

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