ES6U1T2R - MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Hersteller Teilenummer

ES6U1T2R

Interne Teilenummer

ABC-ES6U1T2R

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4907413 Pieces

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Technische Daten für ES6U1T2R

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ES6U1T2R

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 6V

FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)

Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 6-WEMT

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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