SI1050X-T1-E3 - MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Hersteller Teilenummer

SI1050X-T1-E3

Interne Teilenummer

ABC-SI1050X-T1-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SI1050X-T1-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI1050X-T1-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.34A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 86 mOhm @ 1.34A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.6nC @ 5V

Vgs (Max) : ±5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 4V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 236mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-89-6

Paket / fall : SOT-563, SOT-666

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : SI1050X-T1-E3.pdf

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