SIZ320DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

Hersteller Teilenummer

SIZ320DT-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIZ320DT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIZ320DT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIZ320DT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

Serie : PowerPAIR®, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 30A (Tc), 40A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V

Leistung max : 16.7W, 31W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerWDFN

Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIZ32 , SIZ320D

Dokumente für SIZ320DT-T1-GE3

Datenblätter : SIZ320DT-T1-GE3.pdf

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