DTD113ZUT106 - TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller Teilenummer

DTD113ZUT106

Interne Teilenummer

ABC-DTD113ZUT106

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

4245731 Pieces

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Technische Daten für DTD113ZUT106

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DTD113ZUT106

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Pre-Biased

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 82 @ 50mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA

Frequenz - Übergang : 200MHz

Leistung max : 200mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SC-70, SOT-323

Supplier Device Package : UMT3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DTD1 , DTD113

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Datenblätter : DTD113ZUT106.pdf

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