DMTH6004SCTBQ-13 - MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Hersteller Teilenummer

DMTH6004SCTBQ-13

Interne Teilenummer

ABC-DMTH6004SCTBQ-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A TO263

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

355572 Pieces

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Technische Daten für DMTH6004SCTBQ-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMTH6004SCTBQ-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO263

Serie : Automotive, AEC-Q101

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 4.7W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263AB

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMTH6 , DMTH6004

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Datenblätter : DMTH6004SCTBQ-13.pdf

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