APTM50DDA10T3G - MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Hersteller Teilenummer

APTM50DDA10T3G

Interne Teilenummer

ABC-APTM50DDA10T3G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

67776 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für APTM50DDA10T3G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM50DDA10T3G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 500V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 96nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4367pF @ 25V

Leistung max : 312W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP3

Supplier Device Package : SP3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : APTM , APTM50D

Dokumente für APTM50DDA10T3G

Datenblätter : APTM50DDA10T3G.pdf

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