SIA912DJ-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Hersteller Teilenummer

SIA912DJ-T1-GE3

Interne Teilenummer

ABC-SIA912DJ-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für SIA912DJ-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIA912DJ-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 11.5nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 6V

Leistung max : 6.5W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SIA91 , SIA912D

Dokumente für SIA912DJ-T1-GE3

Datenblätter : SIA912DJ-T1-GE3.pdf

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