SQJ956EP-T1_GE3 - MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Hersteller Teilenummer

SQJ956EP-T1_GE3

Interne Teilenummer

ABC-SQJ956EP-T1_GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1360982 Pieces

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Technische Daten für SQJ956EP-T1_GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SQJ956EP-T1_GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 23A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26.7 mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1395pF @ 30V

Leistung max : 34W

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : PowerPAK® SO-8 Dual

Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8 Dual

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SQJ95 , SQJ956E

Dokumente für SQJ956EP-T1_GE3

Datenblätter : SQJ956EP-T1_GE3.pdf

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