IRFH5110TR2PBF - MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Hersteller Teilenummer

IRFH5110TR2PBF

Interne Teilenummer

ABC-IRFH5110TR2PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

40832 Pieces

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Technische Daten für IRFH5110TR2PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFH5110TR2PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Ta), 63A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3152pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 114W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRFH , IRFH511

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Datenblätter : IRFH5110TR2PBF.pdf

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