S2BHE3_A/I - DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA

Hersteller Teilenummer

S2BHE3_A/I

Interne Teilenummer

ABC-S2BHE3_A/I

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für S2BHE3_A/I

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : S2BHE3_A/I

Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division

Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA

Serie : -

Teilestatus : Active

Diodentyp : Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 1.5A

Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr) : 2µs

Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F : 16pF @ 4V, 1MHz

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : DO-214AA, SMB

Supplier Device Package : DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : S2B , S2BHE

Dokumente für S2BHE3_A/I

Datenblätter : S2BHE3_A/I.pdf

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